eMRAM技術(shù)簡介
半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展歷程可以追溯到上世紀(jì)40年代，自晶體管發(fā)明以來，集成電路的特征尺寸已經(jīng)從微米級別進(jìn)入納米級別。隨著摩爾定律的演進(jìn)，晶體管先后經(jīng)歷了平面結(jié)構(gòu)、Fin場效應(yīng)晶體管（FinFET）和環(huán)繞式柵極晶體管(Gate-All-Around）等階段，其密度、性能和能效不斷提高。
嵌入式存儲是邏輯制程中不可或缺的一環(huán)。其中，嵌入式閃存（eFlash）作為一種主流的非易失性嵌入式存儲技術(shù)，在40納米及以上的成熟工藝中占據(jù)主導(dǎo)地位。然而，隨著工藝節(jié)點(diǎn)的不斷演進(jìn)，eFlash通過浮柵吸附/脫附電子實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲的物理機(jī)制限制了其微縮極限。業(yè)界普遍認(rèn)為，28/22納米將是eFlash具有成本效益的最后一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)，因此開始持續(xù)研發(fā)新型嵌入式非易失存儲技術(shù)，如eMRAM和eRRAM等。
新型嵌入式非易失存儲技術(shù)一般基于邏輯工藝的互聯(lián)層（BEOL），具備良好的前后段兼容性，可延展至28納米及更先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)，且性能更具有競爭力，如下圖。
