eMRAM
HIKSTOR eMRAM產(chǎn)品特點 |
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HIKSTOR嵌入式磁隨機存儲器（Embedded Magnetic Random Access Memory，簡稱eMRAM）是基于STT效應(yīng)的第三代磁性隨機存儲技術(shù)，與第一代Toggle MRAM和第二代采用面內(nèi)磁化磁隧道結(jié)（in-plane Magnetic Tunnel Junction,簡稱iMTJ）的MRAM相比，其采用了垂直磁化磁隧道結(jié)作為存儲單元（perpendicular Magnetic Tunnel Junction,簡稱pMTJ），更具可拓展性，可實現(xiàn)更高的密度、更少的功耗、更低的成本。 |
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HIKSTOR eMRAM相較傳統(tǒng)嵌入式存儲有著顯著的性能優(yōu)勢：包括超快的寫入速度 (約20ns)；極高的擦寫次數(shù) (高至1012)；極久的數(shù)據(jù)保持時間（20年85℃）；可在邏輯Vcc供電且無電荷泵的情況下進行寫操作(寫電壓約2V，eFlash約10V)等。同時HIKSTOR eMRAM與邏輯工藝有著優(yōu)良的兼容性，可延展至28納米及以下先進工藝節(jié)點，且額外光罩數(shù)量僅3~5層。另外HIKSTOR eMRAM可根據(jù)不同需求進行個性化定制，來滿足高性能、高可靠等一系列應(yīng)用場景的需求，提供嵌入式解決方案。 |
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