企業(yè)存儲(chǔ)
|
隨著信息技術(shù)的發(fā)展，存儲(chǔ)技術(shù)也在不斷地演進(jìn)。在企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)領(lǐng)域，磁盤冗余陣列（RAID控制卡）和固態(tài)硬盤等產(chǎn)品也在不斷推陳出新。 |
RAID控制卡 |
|
在磁盤冗余陣列（Redundant Array of Independent Disks，RAID）之前，人們通常使用單塊磁盤保存數(shù)據(jù)。單塊磁盤讀寫性能低，且容易發(fā)生故障。RAID將多個(gè)物理磁盤配置為統(tǒng)一的邏輯單元，并且提供冗余操作，可提升存儲(chǔ)系統(tǒng)的讀寫性能和可靠性。 如下圖所示，RAID元數(shù)據(jù)記錄了物理磁盤的數(shù)量和存儲(chǔ)容量、每塊物理磁盤的起始地址等信息。除元數(shù)據(jù)之外，RAID控制器還需持續(xù)記錄系統(tǒng)日志，以便跟蹤主機(jī)和磁盤之間傳輸?shù)臄?shù)據(jù)包，避免異常掉電引起的數(shù)據(jù)丟失問題。傳統(tǒng)非易失存儲(chǔ)器的擦寫壽命不能滿足RAID應(yīng)用場景要求。HIKSTOR MRAM專為需要極高數(shù)據(jù)可靠性的應(yīng)用而設(shè)計(jì)，具有萬億次擦寫壽命，非常適合RAID應(yīng)用場景。 |
|
RAID控制卡原理框圖 |
固態(tài)硬盤（SSD) |
|
固態(tài)硬盤（Solid-State Drive，SSD）主要由控制器、DRAM和NAND Flash構(gòu)成，存在異常掉電而丟失數(shù)據(jù)等問題，通常需要配備電容和電源故障檢測模塊。如下圖所示，該技術(shù)方案將Write Buffer和FTL Changes保存在MRAM中，可顯著減少SSD對(duì)電容數(shù)量的需求。 此外，SSD的隨機(jī)寫工作模式加劇了WA（Write Amplification）問題，嚴(yán)重影響SSD的擦寫壽命。如下圖所示，小塊數(shù)據(jù)被緩存在MRAM的Write Buffer中，經(jīng)過合并重組等操作，以順序方式寫入NAND Flash。該技術(shù)方案減輕了WA問題，降低了隨機(jī)寫操作對(duì)SSD的壽命影響。 HIKSTOR MRAM專為需要極高數(shù)據(jù)可靠性的應(yīng)用而設(shè)計(jì)，具有納秒級(jí)高速寫入、萬億次擦寫壽命和超低功耗等特性，非常適合SSD應(yīng)用場景。 |
|
SSD原理框圖 |
