HIKSTOR eMRAM工藝平臺
馳拓科技eMRAM因其存儲單元電路結(jié)構(gòu)是由1個NMOS與1個MTJ單元組成，磁隧道結(jié)（MTJ）集成于后段2層金屬層之間，可以兼容現(xiàn)有各CMOS晶圓廠的標(biāo)準(zhǔn)工藝制程。
馳拓科技eMRAM平臺在90、40和28nm已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品量產(chǎn)，現(xiàn)具有多款eMRAM IP可供客戶選擇，另外可根據(jù)客戶產(chǎn)品的需求進(jìn)行eMRAM IP的定制。eMRAM IP的規(guī)格書和IP定制服務(wù)，歡迎聯(lián)系馳拓科技市場/銷售進(jìn)行咨詢。
馳拓科技的eMRAM平臺提供多項(xiàng)目晶圓（Multiple Project Wafer，MPW）服務(wù)，可以滿足客戶驗(yàn)證產(chǎn)品的需求，為客戶節(jié)省研發(fā)時間和成本。MPW時間表、預(yù)訂MPW坐席，歡迎聯(lián)系馳拓市場/銷售進(jìn)行咨詢。